此处显示 class "clear" 的内容
新闻动态

  • 日本NICT和田村制作所等正式发表使用氧化镓单晶

    发布:admin 浏览:
     

      日本NICT和田村制作所等正式发表使用氧化镓单晶基板的低成本晶体管成果

       日本信息通信研究机构(NICT)和田村制作所等近日宣布,开发出了使用氧化镓(Ga2O3)单晶基板的晶体管,研究成果已经以论文的形式刊登在学术杂志“Applied Physics Letter”上。该技术与已开始用于功率半导体领域的SiC和GaN相比,有望大幅削减制造成本。 此次开发的晶体管是一种将具有肖特基结的金属用于栅极电极的“金属半导体场效应晶体管”(Metal-Semiconductor Field Effect Transistor,MESFET)。其制造方法是,在利用液态生长法制成的β-Ga2O3单晶基板上,采用分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)法形成n型Ga2O3薄膜后制成。截止时的耐压为250V以上,漏电流为数μA/mm左右,电流开关比为104左右。 Ga2O3中的β-Ga2O3的带隙为4.8~4.9eV,大于SiC的3.3eV和GaN的3.4eV,有望实现高出SiC和GaN的高耐压性及低损耗性。因此,可用于需要耐受铁路及输电线等高电压和大电流领域。由于单晶基板制造无需高温高压等条件,而且原料利用率较高,因此有望以低成本量产单晶基板。